标准查询 标准查询硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)
标准简介：本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度，通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线，可求得电阻率。
标准号：SJ 1551-1979
标准名称：硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
英文名称：Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)
标准类型：行业标准
标准状态：现行
发布日期：1980-03-01
实施日期：1980-06-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H81半金属
发布单位：第四机械工业部
相关服务
搜索标准
搜索标准
