Method of inspection for silicon epitaxial wafers
标准简介：本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的检测方法。其检测项目有外延层电阻率、外延层厚度、层错密度、位错密度、夹层和表面缺陷等
标准号：SJ 1550-1979
标准名称：硅外延片检测方法
英文名称：Method of inspection for silicon epitaxial wafers
标准类型：行业标准
标准状态：现行
发布日期：1980-03-01
实施日期：1980-06-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H81半金属
发布单位：第四机械工业部
GB 1550-1979 作废
硅单晶导电类型测定方法
SJ 1550-79 现行
硅外延片检测方法
SJ 1979-1981 现行
Ｎ沟道结型场效应半导体管 ＣＳ６型高频场效应半导体管
SJ 1545-1979 现行
CKM-120型脉冲磁控管
SJ 1546-1979 现行
CK-140B型连续波磁控管
SJ 1547-1979 现行
CK-141型连续波磁控管
SJ 1549-1979 现行
硅外延片(暂行)
SJ 1551-1979 现行
硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行)
SJ 1552-1979 现行
电子工业专用设备机械装配技术要求(暂行)
SJ 1518-1979 现行
KW3型微动开关
标准查询 标准查询 标准查询
