硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

标准简介：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。

标准号：GB/T 14141-2009

标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 14141-1993

起草单位：宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.