Semiconductor discrete device-Detail specification for PNP silicon low-power transistor for Type 3CG110 GP,GT and GCT classes
标准简介:本规范规定了3CGl10B、3CGl1oc型PNP硅剁淘功率晶体管槛吗卞简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
标准号:SJ 20014-1992
标准名称:半导体分立器件 GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for PNP silicon low-power transistor for Type 3CG110 GP,GT and GCT classes
标准类型:行业标准
标准状态:现行
发布日期:1992-02-01
实施日期:1992-05-01
中国标准分类号(CCS):综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
起草单位:中国电子技术标准化研究所和济南半导体
归口单位:中国电子技术标准化研究所
发布单位:中国电子工业总公司