带电粒子半导体探测器测试方法

标准简介：本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。全耗尽金硅面垒型探测器的某些性能测试也应参照本标准执行。

标准号：GB/T 5201-1994

标准名称：带电粒子半导体探测器测试方法

英文名称：Test procedures for semiconductor charged particle detectors

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1994-01-02

实施日期：1995-10-01

中国标准分类号（CCS）：能源、核技术>>核仪器与核探测器>>F80核仪器与核探测器综合

国际标准分类号（ICS）：计量学和测量、物理现象>>17.240辐射测量

替代以下标准：GB 5201-1985;被GB/T 5201-2012代替

起草单位：北京核仪器厂

归口单位：全国核仪器仪表标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局