标准查询 标准查询硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
STANDARD test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
标准简介：本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
标准号：GB/T 1553-1997
标准名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
英文名称：STANDARD test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
标准状态：作废
发布日期：1997-06-03
实施日期：1997-01-02
中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>77.040.01金属材料试验综合
替代以下标准：替代GB 1553-1979;GB 5257-1985;被GB/T 1553-2009代替
起草单位：峨嵋半导体材料厂
归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会
发布单位：国家技术监督局
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